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长鑫存储（CXMT）的工艺研发正在加速推进

  1. 长鑫存储（CXMT）的工艺研发正在加速推进。Tech Insights的崔正东博士表示，长鑫存储并行开发17nm和16nm工艺，并在完成17nm后迅速实现了16nm的量产，将其作为第四代（G4）工艺，而非原计划的第五代（G5）。

    韩国媒体报道称，长鑫存储的第五代（G5）工艺目标为15nm。尽管美国出口限制使其无法使用EUV等尖端设备，但现有设备仍足以支持下一代工艺的研发和量产。崔博士指出，美光在其13nm级DRAM工艺中也未使用EUV技术，长鑫存储未来的G5、G6工艺也将基于现有设备开发。

    Jukanlosreve