三星电子将获美政府64亿美元芯片补贴
美国政府15日公布，决定将向在得克萨斯州兴建半导体工厂的三星电子提供64亿美元补贴。美国商务部长吉娜·雷蒙多前一天在记者会上表示，为帮助三星电子在得州建厂，政府将根据《芯片与科学法案》向三星提供64亿美元补贴。基于此三星电子将向得州泰勒市投资170亿美元，扩大兴建中的半导体工厂规模和投资对象，直至2030年共投资450亿美元。这比原先计划的投资规模多出一倍以上。三星电子2022年起在泰勒市兴建的半导体工厂用地额外投建新工厂，新设封装设备和尖端研发设备，据此全面进军美国市场。三星的泰勒首家工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片，第二工厂将从2027年起量产尖端芯片，研发工厂也将于2027年投产。
韩联社
美国政府15日公布，决定将向在得克萨斯州兴建半导体工厂的三星电子提供64亿美元补贴。美国商务部长吉娜·雷蒙多前一天在记者会上表示，为帮助三星电子在得州建厂，政府将根据《芯片与科学法案》向三星提供64亿美元补贴。基于此三星电子将向得州泰勒市投资170亿美元，扩大兴建中的半导体工厂规模和投资对象，直至2030年共投资450亿美元。这比原先计划的投资规模多出一倍以上。三星电子2022年起在泰勒市兴建的半导体工厂用地额外投建新工厂，新设封装设备和尖端研发设备，据此全面进军美国市场。三星的泰勒首家工厂将从2026年起生产4纳米和2纳米芯片，第二工厂将从2027年起量产尖端芯片，研发工厂也将于2027年投产。
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