三星终结 2D NAND 时代，华城 12 号线转为 1c DRAM 后端工艺产线

三星电子将停止其华城工厂第 12 生产线的 2D NAND 闪存生产。该生产线将转为生产瓶颈严重的 1c DRAM 后端工艺产线。

据业界 25 日消息，三星电子最早将于 3 月停止该生产线的运行。之后，计划将其改造为专注于 DRAM 布线等前道工艺后半段的产线。华城 12 号线的月产能以 12 英寸晶圆计算，约为 8 万至 10 万片。据悉，三星电子从去年起就已向客户通报了终止生产的计划。

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