中国建成极紫外光刻机原型

路透社12月17日独家报道，中国科研团队已在深圳建成极紫外光刻机（EUV）原型，于2025年初进入测试阶段。项目由前荷兰阿斯麦工程师逆向工程开发，设备可产生极紫外光但尚未产出芯片。政府目标2028年实现芯片生产，知情人士称2030年更为现实。

华为在项目中发挥关键协调作用，通过拆解旧设备和二手市场获取零部件。尽管光源系统已突破，精密光学等核心技术仍面临挑战。此举标志着中国半导体自主化战略取得重要进展，可能较分析师预期大幅缩短与西方技术差距。

来源：路透社