techinsights：麒麟 9030 应用处理器采用中芯国际（SMIC）的 N+3 工艺制造

N+3 工艺基于中芯国际已有的 7nm（N+2）节点进行比例扩展，但从绝对尺度来看，它在关键尺寸微缩程度上仍明显落后于台积电（TSMC）和三星的业界 5nm 制程。尽管中芯国际在基于深紫外光刻（DUV）的图形化工艺以及设计-工艺协同优化（DTCO）技术上实现了显著创新，但该工艺预计会面临较大的良率挑战——尤其是因为在利用 DUV 多重曝光实现金属间距的激进微缩时，工艺复杂度与缺陷控制难度显著提升。

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