内存产业疑虑Q&A
2025/11/21
💎信息内容
在全球内存类股出现较大幅度修正后，我们整理并回复近期投资人所关注的疑虑。
💎评论及分析
1. Q: 长鑫存储(CXMT)是否可能重新扩产DDR4?
A: CXMT目前仅保留约20kwpm的DDR4产能供GigaDevice代工使用，而其2026年超过90%的产能将转向G4制程。根据我们了解，CXMT并未在G4制程规划DDR4产品，即便此刻重新启动DDR4开发，自设计到量产仍需约一年。考量2027年DDR4约80%以上位元需求将来自Consumer应用，我们认为CXMT没有重新扩产DDR4的动机与经济诱因。
2. Q: CXMT是否有计划扩产DDR5/LPDDR5，若扩产是否可能导致供需反转?
A: CXMT的总投片预计由4Q25的280K仅小幅提升至4Q26的300K，投片主要用于生产DDR5/LPDDR5，属于既有规划，并非近期新增扩产。目前造成DRAM供不应求的核心为Server端需求强劲。然而CXMT现阶段仅能量产DDR5 16Gb，其可支持的RDIMM(服务器用内存)最高容量仅64GB，但2026年主流需求将转向96GB与128GB，因此CXMT对于缓解Server DRAM供需吃紧的实质帮助有限。
3. Q: SK Hynix是否计划于2026年将1cnm制程投片量扩大至当前的8倍?
A: 我们的供应链调查显示，SK Hynix的1cnm制程投片量将由目前约20k提升至4Q26的100k，扩产幅度约5倍，主要用于生产DDR5 16Gb/24Gb、LPDDR5X 24Gb与HBM4e。然而，1cnm为SK Hynix现阶段已量产的最先进制程，持续Ramp up属既有规划，其2026年整体DRAM投片量仍维持在约600k水位。
4. Q: Samsung是否计划于2026年底将1cnm制程投片量扩大至200k，若情况属实，是否可能导致DDR5供需反转?
A: 我们的供应链调查显示，Samsung的1cnm制程投片量预计于4Q26由原先规划的140k提高至180k。然而目前Samsung并无1cnm DDR5/LPDDR5产品的明确送样与量产时程，此次扩大1cnm投片主要用于HBM4生产。由于更多1cnm产能被HBM4所排挤，反而将使DDR5/LPDDR5供给进一步趋紧。
5. Q: 近期现货价涨势趋缓，是否意味后续合约价涨幅亦有限?
A: 我们在通路端了解到，当前原厂普遍惜售，现货颗粒报价稀少，即使卖方愿意报价，其价格也偏高，甚至高于调研机构统计的现货最高价。由于现货与合约价差距过大，买方难以追价，成交量因而极低。基于上述状况，我们认为现货价目前对于研判未来合约价的参考意义相对有限。
另一方面，在一个完整的上行循环中，现货价往往会出现多段上涨。我们研判，随下游客户库存去化至一定水位，加上中国政府预计于明年初公布新一年度预算，相关采购需求可望回温，农历新年期间现货价可能迎来新一波涨势。
6. Q: 为何当前上下游厂商对于DRAM/NAND Flash涨幅与涨价持续时间的看法出现明显分歧?
A: 部分下游PC OEM与IPC厂商认为本轮DRAM与NAND Flash供应短缺属暂时性现象，预期后续价格将逐渐松动，并认为2026年PC/NB/IPC出货受内存涨价的影响有限。相较之下，ODM厂商对2026年PC/NB出货展望则较为保守。
我们在2025/11/17发布的产业报告《通用型服务器采购潮点燃内存超级周期》中指出：来自通用型服务器需求上档加速了价格推升以及缺货预期。根据凯基供应链调查，美系CSP对于明年通用型服务器采购大幅优于预期和历史均值，其中以Microsoft最为积极，预期2026年美系CSP通用型服务器出货量可望挑战年增50%。
我们认为，上下游观点分歧的核心原因在于：本次内存需求上行并非由PC/NB/IPC所带动，而是由Server端主导；因此各应用端在判断后续需求时自然产生落差。
7. Q: 若DRAM/NAND Flash价格过高，是否可能反过来压抑需求，进而导致供需反转、价格崩盘?
A: 过去内存涨价通常难以维持多季，主因需求集中在手机与PC，而内存约占手机/PC BOM Cost的10-20%，品牌厂与OEM在承受成本压力后不得不调涨终端售价，进而压抑需求。
然而本轮上行循环的驱动因素由Server主导，美系CSP的采购行为对价格的敏感度远低于终端消费者，因此需求弹性较低。我们认为，本次需求结构明显不同于过往手机/PC主导的循环，内存价格上行有望维持更长时间，而非快速反转或崩盘。
8. Q: 当前内存类股评价是否仍有进一步上修空间?
A: 我们在2025/11/17发布的产业报告《通用型服务器采购潮点燃内存超级周期》中指出：2026年全年内存将维持供不应求，其中3Q26为最为吃紧的季度，DRAM/NAND Flash供需比分别为90.17%/90.12%。此外，我们在2025/11/03的南亚科报告《别让历史经验限制了你对合约价涨幅的想象》中亦强调，2026年全年DDR4将维持约28%的供需缺口。
我们当时预估4Q25-2Q26 DDR4 8Gb合约价将上升至7.5/10.0/12.0美金，2H26则维持在12.0美金。然而随着DDR5颗粒价格持续大幅上涨，Consumer端升级DDR5的意愿放缓，DDR4将因此受益而具备进一步上涨的可能。我们目前认为，南亚科1Q26 DDR4 8Gb季合约价有望季增65%以上，且DDR5将于2H26持续上涨，则DDR4颗粒亦具备同步续涨的空间。
若DDR4颗粒于2H26续涨，则南亚科、华邦电等相关公司之ASP与EPS均将进一步上修，股价亦有望在获利预期上调的驱动下进一步Rerate。
2025/11/21
💎信息内容
在全球内存类股出现较大幅度修正后，我们整理并回复近期投资人所关注的疑虑。
💎评论及分析
1. Q: 长鑫存储(CXMT)是否可能重新扩产DDR4?
A: CXMT目前仅保留约20kwpm的DDR4产能供GigaDevice代工使用，而其2026年超过90%的产能将转向G4制程。根据我们了解，CXMT并未在G4制程规划DDR4产品，即便此刻重新启动DDR4开发，自设计到量产仍需约一年。考量2027年DDR4约80%以上位元需求将来自Consumer应用，我们认为CXMT没有重新扩产DDR4的动机与经济诱因。
2. Q: CXMT是否有计划扩产DDR5/LPDDR5，若扩产是否可能导致供需反转?
A: CXMT的总投片预计由4Q25的280K仅小幅提升至4Q26的300K，投片主要用于生产DDR5/LPDDR5，属于既有规划，并非近期新增扩产。目前造成DRAM供不应求的核心为Server端需求强劲。然而CXMT现阶段仅能量产DDR5 16Gb，其可支持的RDIMM(服务器用内存)最高容量仅64GB，但2026年主流需求将转向96GB与128GB，因此CXMT对于缓解Server DRAM供需吃紧的实质帮助有限。
3. Q: SK Hynix是否计划于2026年将1cnm制程投片量扩大至当前的8倍?
A: 我们的供应链调查显示，SK Hynix的1cnm制程投片量将由目前约20k提升至4Q26的100k，扩产幅度约5倍，主要用于生产DDR5 16Gb/24Gb、LPDDR5X 24Gb与HBM4e。然而，1cnm为SK Hynix现阶段已量产的最先进制程，持续Ramp up属既有规划，其2026年整体DRAM投片量仍维持在约600k水位。
4. Q: Samsung是否计划于2026年底将1cnm制程投片量扩大至200k，若情况属实，是否可能导致DDR5供需反转?
A: 我们的供应链调查显示，Samsung的1cnm制程投片量预计于4Q26由原先规划的140k提高至180k。然而目前Samsung并无1cnm DDR5/LPDDR5产品的明确送样与量产时程，此次扩大1cnm投片主要用于HBM4生产。由于更多1cnm产能被HBM4所排挤，反而将使DDR5/LPDDR5供给进一步趋紧。
5. Q: 近期现货价涨势趋缓，是否意味后续合约价涨幅亦有限?
A: 我们在通路端了解到，当前原厂普遍惜售，现货颗粒报价稀少，即使卖方愿意报价，其价格也偏高，甚至高于调研机构统计的现货最高价。由于现货与合约价差距过大，买方难以追价，成交量因而极低。基于上述状况，我们认为现货价目前对于研判未来合约价的参考意义相对有限。
另一方面，在一个完整的上行循环中，现货价往往会出现多段上涨。我们研判，随下游客户库存去化至一定水位，加上中国政府预计于明年初公布新一年度预算，相关采购需求可望回温，农历新年期间现货价可能迎来新一波涨势。
6. Q: 为何当前上下游厂商对于DRAM/NAND Flash涨幅与涨价持续时间的看法出现明显分歧?
A: 部分下游PC OEM与IPC厂商认为本轮DRAM与NAND Flash供应短缺属暂时性现象，预期后续价格将逐渐松动，并认为2026年PC/NB/IPC出货受内存涨价的影响有限。相较之下，ODM厂商对2026年PC/NB出货展望则较为保守。
我们在2025/11/17发布的产业报告《通用型服务器采购潮点燃内存超级周期》中指出：来自通用型服务器需求上档加速了价格推升以及缺货预期。根据凯基供应链调查，美系CSP对于明年通用型服务器采购大幅优于预期和历史均值，其中以Microsoft最为积极，预期2026年美系CSP通用型服务器出货量可望挑战年增50%。
我们认为，上下游观点分歧的核心原因在于：本次内存需求上行并非由PC/NB/IPC所带动，而是由Server端主导；因此各应用端在判断后续需求时自然产生落差。
7. Q: 若DRAM/NAND Flash价格过高，是否可能反过来压抑需求，进而导致供需反转、价格崩盘?
A: 过去内存涨价通常难以维持多季，主因需求集中在手机与PC，而内存约占手机/PC BOM Cost的10-20%，品牌厂与OEM在承受成本压力后不得不调涨终端售价，进而压抑需求。
然而本轮上行循环的驱动因素由Server主导，美系CSP的采购行为对价格的敏感度远低于终端消费者，因此需求弹性较低。我们认为，本次需求结构明显不同于过往手机/PC主导的循环，内存价格上行有望维持更长时间，而非快速反转或崩盘。
8. Q: 当前内存类股评价是否仍有进一步上修空间?
A: 我们在2025/11/17发布的产业报告《通用型服务器采购潮点燃内存超级周期》中指出：2026年全年内存将维持供不应求，其中3Q26为最为吃紧的季度，DRAM/NAND Flash供需比分别为90.17%/90.12%。此外，我们在2025/11/03的南亚科报告《别让历史经验限制了你对合约价涨幅的想象》中亦强调，2026年全年DDR4将维持约28%的供需缺口。
我们当时预估4Q25-2Q26 DDR4 8Gb合约价将上升至7.5/10.0/12.0美金，2H26则维持在12.0美金。然而随着DDR5颗粒价格持续大幅上涨，Consumer端升级DDR5的意愿放缓，DDR4将因此受益而具备进一步上涨的可能。我们目前认为，南亚科1Q26 DDR4 8Gb季合约价有望季增65%以上，且DDR5将于2H26持续上涨，则DDR4颗粒亦具备同步续涨的空间。
若DDR4颗粒于2H26续涨，则南亚科、华邦电等相关公司之ASP与EPS均将进一步上修，股价亦有望在获利预期上调的驱动下进一步Rerate。
