长鑫存储计划2025年量产HBM3，采用MR-MUF技术
中国内存制造企业长鑫存储（CXMT）计划于2025年启动HBM3（高带宽内存）量产，并确定采用MR-MUF（质量流动成型填充）键合工艺。该技术与SK海力士现行方案相同，旨在提升多层堆叠效率，以应对HBM市场技术门槛高、当前由三星、SK海力士与美光主导的竞争格局。业内分析指出，长鑫存储HBM3产品开发已进入样品阶段，但量产良率等关键技术指标仍面临挑战。
报道称，CXMT此前同时研发MR-MUF与NCF（非导电薄膜）两种键合工艺，最终在HBM3选定MR-MUF路线。部分行业专家预计其良率提升需时，实际大规模量产可能延至2025年底。此举被视为中国推动高附加值内存自主化、构建本土供应链（如华为等企业需求驱动）的关键步骤。
来源：ZDNet
中国内存制造企业长鑫存储（CXMT）计划于2025年启动HBM3（高带宽内存）量产，并确定采用MR-MUF（质量流动成型填充）键合工艺。该技术与SK海力士现行方案相同，旨在提升多层堆叠效率，以应对HBM市场技术门槛高、当前由三星、SK海力士与美光主导的竞争格局。业内分析指出，长鑫存储HBM3产品开发已进入样品阶段，但量产良率等关键技术指标仍面临挑战。
报道称，CXMT此前同时研发MR-MUF与NCF（非导电薄膜）两种键合工艺，最终在HBM3选定MR-MUF路线。部分行业专家预计其良率提升需时，实际大规模量产可能延至2025年底。此举被视为中国推动高附加值内存自主化、构建本土供应链（如华为等企业需求驱动）的关键步骤。
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