华邦电总经理陈沛铭：存储器产业正经历一场结构性变革，预期 DRAM 缺货潮将持续到2027年。

过去传统 DDR3 和 DDR4 标准制定时，并未要求内建 ECC（纠错码）功能，然而，当全球前三大 DRAM 供应商将制程推进到 14 纳米、13 纳米甚至更精密的制程时，极小的位单元容易产生坏轨（bad bits），必须依靠 ECC 来补偿。

由于 JEDEC 标准不支持 DDR3/DDR4 在这些先进制程上使用 ECC，使得三星、SK 海力士、美光等三大内存供应商的新工厂和先进制程无法再回头生产 DDR3 或 DDR4，而为满足 AI 时代对高带宽记忆体（HBM）强劲需求并充分利用新制程，三大原厂被迫转向生产支持 ECC 的 DDR5，导致 DDR4 供应出现结构性缺口。 他强调，一旦国际大厂制程推进至 DDR5，就不可能回去生产 DDR4 或 DDR3 产品，从供需结构来看，DDR5 和 DDR4 或 DDR3 缺货潮 ，恐怕到 2027 年都不会改变。

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